存储缺货格局将延续至2027年!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数跳涨超7%,换手率超18%交投活跃
盘面上,存储创芯超换超交两市高开高走,缺货芯片设计概念上涨。格局相关ETF方面,将延计科创芯片设计ETF天弘(589070)标的续至指数盘中涨7.03%,成交额达7791.76万元;换手率达18.17%。年科成分股中,片设普冉股份涨停,天弘跳涨投活澜起科技、指数裕太微-U、手率杰华特、存储创芯超换超交聚辰股份、缺货纳芯微涨超5%,格局中微半导、将延计芯海科技、续至康希通信等多股跟涨。
科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数,指数聚焦半导体中游设计环节,含量接近95%!相较于同类科创芯片指数更加“纯粹”,行业集中度极高!
消息面上,据TrendForce预测,2026年第二季度DRAM与NAND Flash合约价格将环比暴涨58%~75%,集微网报道称存储缺货格局将延续至2027年。
东吴证券认为,科创芯片板块在AI算力需求爆发与国产替代深化的双轮驱动下,中长期配置价值凸显。短期需关注市场轮动带来的波动,但政策支持与技术突破将持续强化其作为科技核心主线的地位。
每日经济新闻
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